• 第14回PDEAパワーデバイスセミナー
    第14回PDEAパワーデバイスセミナー
    開催日時 2017年12月6日(水) 13:00
    会場 品川フロントビル会議室 詳細
    料金(税込) 10,800円
    定員 80名
    「次世代パワーデバイスの有力候補を斬る
    注目の酸化ガリウム&ダイヤモンドの最新開発動向」

      
    日時:2017年12月6日(水) 13:00~19:00
    会場:東京・品川フロントビル会議室
    参加費用:10,000円+税/1名(テキスト、交流会付)
    主催:パワーデバイス・イネーブリング協会(PDEA)
    協賛:㈱アドバンテスト
    特別協力:㈱産業タイムズ社
    後援(予定):東京大学VDEC、日本電子デバイス産業協会(NEDIA)、日本半導体製造装置協会(SEAJ)

     
    「ポストシリコン」を目指す次世代パワー半導体はSiCやGaNだけではありません。それらは実用化で
    先行していますが、最近では、よりバンドギャップが広く、パワー半導体材料としての適性を示すバリ
    ガー性能指数が極めて高い酸化ガリウムやダイヤモンドが、新たな有力候補として急浮上しています。
    そこで、パワーデバイス・イネーブリング協会では、酸化ガリウムおよびダイヤモンドを使ったパワー
    半導体の最新開発動向と、離陸に向けた課題を探る技術セミナー「次世代パワーデバイスの有力候補
    を斬る」を企画いたしました。酸化ガリウムに関しては、国立研究開発法人 情報通信研究機構の
    東脇正高氏にトランジスタおよびダイオードの開発動向と離陸への課題を語っていただきます。加えて、
    独自の「ミストCVD」技術を駆使して酸化ガリウムSBD(ショットキバリアダイオード)試作に成功した
    ㈱FLOSFIAの開発戦略を、取締役CTOの四戸孝氏に講演いただきます。ダイヤモンドに関しては、
    ウエハー開発からデバイス(ダイオード、MOSFET)までの最新研究動向と離陸への課題を、金沢大学

    の徳田規夫准教授に語っていただきます。このほか、特別講演として、日本発の世界標準のめどが
    立った「車載・一般用途半導体部品認定ガイドライン」について、JEITA(一般社団法人電子情報技術
    産業協会)のワーキンググループリーダの伊賀洋一氏にご紹介いただきます。
    酸化ガリウムとダイヤモンドパワーデバイスの可能性を探る絶好の機会ですので、皆様のご参加を
    お待ちしております。


    <プログラム>
    13:00~13:05
    開会のあいさつ

     
    13:05~14:05
    「ダイヤモンドパワーデバイス開発の最新動向と離陸への課題」
    金沢大学 理工研究域 電子情報学系 薄膜電子工学研究室 徳田 規夫 氏
    14:05~15:05
    特別講演
    「~日本発、世界標準:車載・一般用途半導体部品認定ガイドラインの紹介~」
    JEITA 半導体信頼性試験認定ワーキンググループ(WG) リーダ 伊賀 洋一 氏

     
    15:05~15:15
    「パワーデバイス・イネーブリング協会からのご案内」
     
    15:15~15:30 休憩

     
    15:30~16:30
    「酸化ガリウムトランジスタ・ダイオード開発の最新動向と離陸への課題」
    国立研究開発法人 情報通信研究機構 未来ICT研究所
    グリーンICTデバイス先端開発センター センター長 東脇 正高 氏
     

    16:30~17:30
    「ミストCVD法による世界最小オン抵抗の酸化ガリウムSBDの開発と事業化戦略」
    ㈱FLOSFIA 取締役CTO 四戸 孝 氏
     
    17:40~19:00   名刺交換会
     
    ※講演タイトル、講演者は都合により変更する場合があります。予めご了承下さい。